单电压读写操作–2.7-3.6V;串行接口结构–SPI兼容：模式0和模式3;高速时钟频率;低功耗：–主动读电流：320mA（典型）–待机电流：160μA（典型);灵活擦除能力–统一的4kbyte扇区...

2.7–3.6伏用于读取和程序操作SPI总线兼容串行接口端接金盘扇区擦除架构支持全芯片擦除嵌入式擦除算法嵌入式程序算法逐页程序循环（每页256字节）50兆赫时钟速率支持每秒10兆位的读取速率（）写保...

高温通用三重运算放大器使用内置的电压通过外部电阻配置作为仪表放大器。工作温度范围：高温版本:–55℃~+225℃。工作电压VDD-VSS:6V~20V；工作电流:550mA/OPA(@VDD=10V...

CHT-74**逻辑系列经过优化，可应用于高温，高可靠性领域。它可专注高达+225℃高温电子系统设计员提供数字功能。产品主要包括:单通道双输入的与非门，十六进制的变换器，单通道双输入逻辑或，单通道双...

操作温度：-55°C到210°C电压：1200V，650V电流：20A,40A操作温度：-55°C到210°C我公司代理进口高温电子元器件，从主动器件到被动器...

CHT-555是耐高温、低功耗的定时振荡器，完全兼容其它厂家。该器件能提供更廉价的时钟解决方案：高输入阻抗，CHT-555可以使用较小容量的电容而不至于降低定时精度。内建四个以二倍倍增（从20pF~...

2.7–3.6伏用于读取和程序操作·;SPI总线兼容串行接口·;终端镀金·;扇区擦除架构·;支持全芯片擦除·;嵌入式擦除算法·;嵌入式程序...

单电压读写操作–2.7-3.6V；串行接口体系结构–SPI兼容：模式0和模式3；高速时钟频率；低功耗：–有源读取电流：320mA（典型）–待机电流：160μA（典型）；灵活的擦除功能–统一的4kby...

CHT-ADC10是一款耐高温、超低功耗、高稳定性的模数转换芯片。该芯片为逐次逼近型模数转换器件，基于R-2R电阻网络，具有10位精度，在-55℃~225℃温度范围内都能保证严格单调线性并无遗漏码。...

?温度范围-55℃to225℃(operationalupto300℃)?输入电压:2V到25V(30V高压输入)?输出电流:1A?总精度(+漂移):2%?短路保护:Foldback?静态电流:3m...

时钟速率：50MHz温度范围：-55℃to200℃包装：Plastic128QFP,Ceramic128QFP,Die我公司专业代理进口高温电子元器件，从主动器件到被动器件全方位都可以提供解决方案，...

CISSOID高温晶体时钟生成器CHT-CG50是一种多功能增强型石英晶体时钟发生器电路。该电路包含有一个带使能/关闭控制信号的可编程石英晶体振荡驱动器，一个外部输入时钟源，一个可编程分频器以及一个...

2.7–3.6伏，用于读取和程序操作;SPI总线兼容串行接口;端接金盘;扇区擦除架构;支持全芯片擦除;嵌入式擦除算法;嵌入式程序算法;逐页程序循环（每页256字节）;50兆赫时钟速率支持每秒10兆位...

频率范围：1Hzto125MHz(32.768KHz)操作温度：-55℃到200℃封装:5*7mmSMD,5*7mmDIP,3.2*2.5mmSMD,7*7mmSMD,5*3.2mmSMD,HC-4...

工作温度：-55°C至+175°C;电源电压：10-16.5V;可配置欠压锁定;集成反激式DC-DC转换器;180kHz开关频率;电流模式控制;电流限制;集成开关晶体管（Rdso...

频率范围：1Hzto125MHz(32.768KHz)操作温度：-55℃到175℃电压范围：1.8V,2.5V,3.3V,5.0V,8.0V封装:5*7mmSMD,5*7mmDIP,3.2*2.5m...

操作温度：-55°C到210°C电压：600V,1200V，650V电流：3A,5A,10A,15A封装：SMDTO257TO258我公司代理进口高温电子元器件，从主动器件到被动...

阻值：1R-10M/10M-1T/100K-10T精度：0.5%,1%,2%,5%,10%,20%操作温度：-55°C到+300°C，-55°C到200°C，...

结构：AsynchronousSRAM密度：16Mbit温度范围：-55℃to200℃包装：Die,packageddeviceavailablefromTexasInstruments架构:SRA...

NILE模拟输入与一个5V参考电压的8位分辨率做比较，可编程阈值，延迟时间2.6?s，输入电压范围-15V~+10V，Lowtotalsupplycurrent(<250μASOIC1...